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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF25N60M2-EP
STF25N60M2-EP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF25N60M2-EP - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF25N60M2-EP
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF25N60M2-EP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STF25N60M2-EP.pdf
État RoHS
En stock: 24825

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF25N60M2-EP
STMicroelectronics - STF25N60M2-EP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF25N60M2-EP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ M2-EP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 188mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1090 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  
Numéro de produit de base STF25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF25N60M2-EP

Attributs du produit STF25N60M2-EP STF24NM60N STF26NM60N STF25NM50N
Modèle de produit STF25N60M2-EP STF24NM60N STF26NM60N STF25NM50N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1090 pF @ 100 V 1400 pF @ 50 V 1800 pF @ 50 V 2565 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 500 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 17A (Tc) 20A (Tc) 22A (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Fonction FET - - - -
Séries MDmesh™ M2-EP MDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 188mOhm @ 9A, 10V 190mOhm @ 8A, 10V 165mOhm @ 10A, 10V 140mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 35W (Tc) 40W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base STF25 STF24 STF26 STF25
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique STF25N60M2-EP PDF

Téléchargez STF25N60M2-EP PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF25N60M2-EP - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STF25N60M2-EP.pdf
Conception / spécification PCN
Gate threshold voltage 10/Apr/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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