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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF21N65M5
STF21N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF21N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF21N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF21N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx21N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 16493

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF21N65M5
STMicroelectronics - STF21N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF21N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base STF21  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF21N65M5

Attributs du produit STF21N65M5 STF21NM60N STF20NK50Z STF21NM50N
Modèle de produit STF21N65M5 STF21NM60N STF20NK50Z STF21NM50N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 18A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Fonction FET - - - -
Séries MDmesh™ V MDmesh™ SuperMESH™ MDmesh™ II
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc) 30W (Tc)
Numéro de produit de base STF21 STF21 STF20 STF21
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V 1900 pF @ 50 V 2600 pF @ 25 V 1950 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 270mOhm @ 8.5A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 119 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 500 V 500 V

Fiche technique STF21N65M5 PDF

Téléchargez STF21N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF21N65M5 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Feuilles de données
STx21N65M5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF21N65M5

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32D-STF21N65M5

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