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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF140N8F7
STF140N8F7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF140N8F7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF140N8F7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF140N8F7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STF140N8F7.pdf
État RoHS
En stock: 3630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF140N8F7
STMicroelectronics - STF140N8F7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF140N8F7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 32A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6340 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc)  
Numéro de produit de base STF14  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF140N8F7

Attributs du produit STF140N8F7 STF13NM50N STF14N80K5 STF140N6F7
Modèle de produit STF140N8F7 STF13NM50N STF14N80K5 STF140N6F7
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 80 V 500 V 800 V 60 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STF14 STF13 STF14 STF140
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 70A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc) 33W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6340 pF @ 40 V 960 pF @ 50 V 620 pF @ 100 V 3100 pF @ 25 V
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ II MDmesh™ K5 STripFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V ±20V
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 32A, 10V 320mOhm @ 6A, 10V 445mOhm @ 6A, 10V 3.5mOhm @ 35A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique STF140N8F7 PDF

Téléchargez STF140N8F7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF140N8F7 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 29/Mar/2019.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF140N8F7

STMicroelectronics
32D-STF140N8F7

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