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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF11N65K3
STF11N65K3 Image
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STF11N65K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF11N65K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF11N65K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STF11N65K3.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 3880

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STF11N65K3
STMicroelectronics - STF11N65K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF11N65K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base STF11  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF11N65K3

Attributs du produit STF11N65K3 STF110N10F7 STF11N60M2-EP STF10NM60ND
Modèle de produit STF11N65K3 STF110N10F7 STF11N60M2-EP STF10NM60ND
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3.6A, 10V 7mOhm @ 22.5A, 10V 595mOhm @ 3.75A, 10V 550mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 12.4 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STF11 STF11 STF11 STF10
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries SuperMESH3™ DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ M2-EP FDmesh™ II
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 45A (Tc) 7.5A (Tc) 8A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±25V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 50 V 5117 pF @ 50 V 390 pF @ 100 V 540 pF @ 50 V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 100 V 600 V 600 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique STF11N65K3 PDF

Téléchargez STF11N65K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF11N65K3 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
STF11N65K3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF11N65K3

STMicroelectronics
32D-STF11N65K3

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