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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTE45NK80ZD
STE45NK80ZD Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STE45NK80ZD - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STE45NK80ZD
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STE45NK80ZD
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
ISOTOP
Fiche technique
STE45NK80ZD.pdf
État RoHS
En stock: 4380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STE45NK80ZD
STMicroelectronics - STE45NK80ZD Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STE45NK80ZD

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries SuperFREDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 22.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc)  
Package / Boîte ISOTOP  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 26000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 781 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc)  
Numéro de produit de base STE45  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STE45NK80ZD

Attributs du produit STE45NK80ZD STE40NC60 STE40NK90ZD STE48NM60
Modèle de produit STE45NK80ZD STE40NC60 STE40NK90ZD STE48NM60
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 26000 pF @ 25 V 11100 pF @ 25 V 25000 pF @ 25 V 3800 pF @ 25 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 900 V 650 V
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc) 460W (Tc) 600W (Tc) 450W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 22.5A, 10V 130mOhm @ 20A, 10V 180mOhm @ 20A, 10V 110mOhm @ 22.5A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA 4V @ 250µA 4.5V @ 150µA 5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc) 48A (Tc)
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Séries SuperFREDmesh™ PowerMESH™ II SuperFREDmesh™ MDmesh™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 781 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V 826 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STE45 STE40 STE40 STE48
Fonction FET - - - -

Fiche technique STE45NK80ZD PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STE45NK80ZD

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