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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD4NK50ZD-1
STD4NK50ZD-1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD4NK50ZD-1 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD4NK50ZD-1
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD4NK50ZD-1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
STx4NK50ZD(-1).pdf
État RoHS
En stock: 3700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD4NK50ZD-1
STMicroelectronics - STD4NK50ZD-1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD4NK50ZD-1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base STD4N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD4NK50ZD-1

Attributs du produit STD4NK50ZD-1 STD4NK60Z-1 STD4NK50ZT4 STD4NK50ZD
Modèle de produit STD4NK50ZD-1 STD4NK60Z-1 STD4NK50ZT4 STD4NK50ZD
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 4A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 70W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.5A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 2.7Ohm @ 1.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Numéro de produit de base STD4N STD4NK60 STD4 STD4N
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 500 V 500 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK DPAK DPAK
Séries SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount

Fiche technique STD4NK50ZD-1 PDF

Téléchargez STD4NK50ZD-1 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD4NK50ZD-1 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx4NK50ZD(-1).pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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