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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD4N52K3
STD4N52K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD4N52K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD4N52K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD4N52K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STx4N52K3.pdf
État RoHS
En stock: 53200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD4N52K3
STMicroelectronics - STD4N52K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD4N52K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6Ohm @ 1.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 334 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 525 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STD4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD4N52K3

Attributs du produit STD4N52K3 STD4N90K5 STD4LN80K5 STD4N80K5
Modèle de produit STD4N52K3 STD4N90K5 STD4LN80K5 STD4N80K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries SuperMESH3™ MDmesh™ MDmesh™ K5 SuperMESH5™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6Ohm @ 1.25A, 10V 2.1Ohm @ 1A, 10V 2.6Ohm @ 1A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 334 pF @ 100 V 173 pF @ 100 V 122 pF @ 100 V 175 pF @ 100 V
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc)
Numéro de produit de base STD4 STD4N90 STD4LN80 STD4N80
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 10 V 5.3 nC @ 10 V 3.7 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 525 V 900 V 800 V 800 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA

Fiche technique STD4N52K3 PDF

Téléchargez STD4N52K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD4N52K3 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx4N52K3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STD4N52K3

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