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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD36P4LLF6
STD36P4LLF6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD36P4LLF6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD36P4LLF6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD36P4LLF6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STD36P4LLF6.pdf
État RoHS
En stock: 48340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD36P4LLF6
STMicroelectronics - STD36P4LLF6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD36P4LLF6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries STripFET™ F6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base STD36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD36P4LLF6

Attributs du produit STD36P4LLF6 STD38NH02L-1 STD38NH02LT4 STD35NF3LLT4
Modèle de produit STD36P4LLF6 STD38NH02L-1 STD38NH02LT4 STD35NF3LLT4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 24 V 24 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 24 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V
Séries STripFET™ F6 STripFET™ III STripFET™ III STripFET™ II
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc) 50W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 18A, 10V 13.5mOhm @ 19A, 10V 13.5mOhm @ 19A, 10V 19.5mOhm @ 17.5A, 10V
Numéro de produit de base STD36 STD38 STD38 STD35
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V 1070 pF @ 25 V 1070 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 38A (Tc) 38A (Tc) 35A (Tc)
Package composant fournisseur DPAK I-PAK DPAK DPAK

Fiche technique STD36P4LLF6 PDF

Téléchargez STD36P4LLF6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD36P4LLF6 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
STD36P4LLF6.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD36P4LLF6

STMicroelectronics
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