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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD2HNK60Z
STD2HNK60Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD2HNK60Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD2HNK60Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD2HNK60Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STx2HNK60Z(x).pdf
État RoHS
En stock: 54650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD2HNK60Z
STMicroelectronics - STD2HNK60Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD2HNK60Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)  
Numéro de produit de base STD2HNK60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD2HNK60Z

Attributs du produit STD2HNK60Z STD2N95K5 STD27N3LH5 STD2N62K3
Modèle de produit STD2HNK60Z STD2N95K5 STD27N3LH5 STD2N62K3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V 105 pF @ 100 V 475 pF @ 25 V 340 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Séries SuperMESH™ SuperMESH5™ STripFET™ V SuperMESH3™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc) 2A (Tc) 27A (Tc) 2.2A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 1V @ 250µA 4.5V @ 50µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 600 V 950 V 30 V 620 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V 30V ±22V ±30V
Numéro de produit de base STD2HNK60 STD2N95 STD27N STD2N62
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 45W (Tc) 30W (Tc) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1A, 10V 5Ohm @ 1A, 10V 19mOhm @ 13.5A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V 15 nC @ 10 V

Fiche technique STD2HNK60Z PDF

Téléchargez STD2HNK60Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD2HNK60Z - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
STx2HNK60Z(x).pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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