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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD19NF20
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD19NF20 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD19NF20
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD19NF20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STx19NF20.pdf
État RoHS
En stock: 3750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD19NF20
STMicroelectronics - STD19NF20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD19NF20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252)  
Séries MESH OVERLAY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base STD19  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD19NF20

Attributs du produit STD19NF20 STD18NF03L STD1HNC60T4 STD1HN60K3
Modèle de produit STD19NF20 STD18NF03L STD1HNC60T4 STD1HN60K3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 7.5A, 10V 50mOhm @ 8.5A, 10V 5Ohm @ 1A, 10V 8Ohm @ 600mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 320 pF @ 25 V 228 pF @ 25 V 140 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±16V ±30V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 6.5 nC @ 5 V 15.5 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252) DPAK DPAK DPAK
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STD19 STD18 STD1HN STD1HN60
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 17A (Tc) 2A (Tc) 1.2A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 30 V 600 V 600 V
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) 30W (Tc) 50W (Tc) 27W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries MESH OVERLAY™ STripFET™ II PowerMESH™ II SuperMESH3™

Fiche technique STD19NF20 PDF

Téléchargez STD19NF20 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD19NF20 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx19NF20.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mosfet EOL 6/Apr/2018.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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