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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD12NF06-1
STD12NF06-1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD12NF06-1 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD12NF06-1
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD12NF06-1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
STD12NF06(T4).pdf
État RoHS
En stock: 3660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD12NF06-1
STMicroelectronics - STD12NF06-1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD12NF06-1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base STD12  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD12NF06-1

Attributs du produit STD12NF06-1 STD12NM50N STD12NF06LT4 STD12NM50ND
Modèle de produit STD12NF06-1 STD12NM50N STD12NF06LT4 STD12NM50ND
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numéro de produit de base STD12 STD12 STD12 STD12
Package composant fournisseur I-PAK DPAK DPAK DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 6A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 100mOhm @ 6A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 500 V 60 V 500 V
Fonction FET - - - -
Séries STripFET™ II MDmesh™ II STripFET™ II FDmesh™ II
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 100W (Tc) 42.8W (Tc) 100W (Tc)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 25 V 940 pF @ 50 V 350 pF @ 25 V 850 pF @ 50 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±25V ±16V ±25V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V, 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 11A (Tc) 12A (Tc) 11A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 10 nC @ 5 V 30 nC @ 10 V

Fiche technique STD12NF06-1 PDF

Téléchargez STD12NF06-1 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD12NF06-1 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STD12NF06(T4).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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