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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB7ANM60N
STB7ANM60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STB7ANM60N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STB7ANM60N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STB7ANM60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STx7ANM60N.pdf
État RoHS
En stock: 49920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STB7ANM60N
STMicroelectronics - STB7ANM60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STB7ANM60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250mA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 363 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base STB7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STB7ANM60N

Attributs du produit STB7ANM60N STB75NF75LT4 STB75NF75T4 STB7NK40Z
Modèle de produit STB7ANM60N STB75NF75LT4 STB75NF75T4 STB7NK40Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 75A (Tc) 80A (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 75 V 75 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 363 pF @ 50 V 4300 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Séries Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II STripFET™ II STripFET™ II -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V 11mOhm @ 37.5A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250mA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 90 nC @ 5 V 160 nC @ 10 V -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Numéro de produit de base STB7 STB75 STB75 -
Vgs (Max) ±25V ±15V ±20V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -

Fiche technique STB7ANM60N PDF

Téléchargez STB7ANM60N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STB7ANM60N - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Conception / spécification PCN
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Feuilles de données
STx7ANM60N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STB7ANM60N

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32D-STB7ANM60N

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