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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB30NM60ND
STB30NM60ND Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STB30NM60ND - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STB30NM60ND
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STB30NM60ND
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STx30NM60ND.pdf
État RoHS
En stock: 4870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STB30NM60ND
STMicroelectronics - STB30NM60ND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STB30NM60ND

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  
Numéro de produit de base STB30N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STB30NM60ND

Attributs du produit STB30NM60ND STB30NF20L STB30NF10T4 STB34N65M5
Modèle de produit STB30NM60ND STB30NF20L STB30NF10T4 STB34N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 200 V 100 V 650 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 30A (Tc) 35A (Tc) 28A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 150W (Tc) 115W (Tc) 190W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 50 V 1990 pF @ 25 V 1180 pF @ 25 V 2700 pF @ 100 V
Séries FDmesh™ II Automotive, AEC-Q101, STripFET™ STripFET™ II MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 12.5A, 10V 75mOhm @ 15A, 5V 45mOhm @ 15A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±25V
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Numéro de produit de base STB30N STB30 STB30 STB34

Fiche technique STB30NM60ND PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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