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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB27NM60ND
STB27NM60ND Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STB27NM60ND - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STB27NM60ND
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STB27NM60ND
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf
État RoHS
En stock: 5460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STB27NM60ND
STMicroelectronics - STB27NM60ND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STB27NM60ND

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc)  
Numéro de produit de base STB27N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STB27NM60ND

Attributs du produit STB27NM60ND STB270N4F3 STB28NM50N STB28N60M2
Modèle de produit STB27NM60ND STB270N4F3 STB28NM50N STB28N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 330W (Tc) 150W (Tc) 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V 158mOhm @ 10.5A, 10V 150mOhm @ 11A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 50 V 7400 pF @ 25 V 1735 pF @ 25 V 1440 pF @ 100 V
Séries Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III MDmesh™ II MDmesh™ II Plus
Numéro de produit de base STB27N STB270 STB28 STB28
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 40 V 500 V 600 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc) 160A (Tc) 21A (Tc) 22A (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -

Fiche technique STB27NM60ND PDF

Téléchargez STB27NM60ND PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STB27NM60ND - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 17/Oct/2018.pdf
Feuilles de données
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STB27NM60ND

STMicroelectronics
32D-STB27NM60ND

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