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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB16PF06LT4
STB16PF06LT4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STB16PF06LT4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STB16PF06LT4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STB16PF06LT4
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STB16PF06L.pdf
État RoHS
En stock: 4000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STB16PF06LT4
STMicroelectronics - STB16PF06LT4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STB16PF06LT4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  
Numéro de produit de base STB16P  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STB16PF06LT4

Attributs du produit STB16PF06LT4 STB18N55M5 STB17N80K5 STB18N65M5
Modèle de produit STB16PF06LT4 STB18N55M5 STB17N80K5 STB18N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 14A (Tc) 15A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 25 V 1260 pF @ 100 V 866 pF @ 100 V 1240 pF @ 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±25V ±30V ±25V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries STripFET™ MDmesh™ V MDmesh™ K5 MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 8A, 10V 192mOhm @ 8A, 10V 340mOhm @ 7A, 10V 220mOhm @ 7.5A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base STB16P STB18N STB17 STB18
Tension drain-source (Vdss) 60 V 550 V 800 V 650 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 110W (Tc) 170W (Tc) 110W (Tc)

Fiche technique STB16PF06LT4 PDF

Téléchargez STB16PF06LT4 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STB16PF06LT4 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STB16PF06LT4

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