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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB120N4F6
STB120N4F6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STB120N4F6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STB120N4F6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STB120N4F6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STx120N4F6.pdf
État RoHS
En stock: 25209

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STB120N4F6
STMicroelectronics - STB120N4F6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STB120N4F6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3850 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base STB120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STB120N4F6

Attributs du produit STB120N4F6 STB11NM60N-1 STB120N4LF6 STB11NM80T4
Modèle de produit STB120N4F6 STB11NM60N-1 STB120N4LF6 STB11NM80T4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 10A (Tc) 80A (Tc) 11A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V, 10V 10V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) I2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
Numéro de produit de base STB120 STB11N STB120 STB11
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±30V
Séries Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™ II Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 43.6 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 40 V 600 V 40 V 800 V
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 90W (Tc) 110W (Tc) 150W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 40A, 10V 450mOhm @ 5A, 10V 4mOhm @ 40A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3850 pF @ 25 V 850 pF @ 50 V 4300 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V

Fiche technique STB120N4F6 PDF

Téléchargez STB120N4F6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STB120N4F6 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Conception / spécification PCN
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Feuilles de données
STx120N4F6.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STB120N4F6

STMicroelectronics
32D-STB120N4F6

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