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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB10N95K5
STB10N95K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STB10N95K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STB10N95K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STB10N95K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
ST(B,F,P,W)10N95K5.pdf
État RoHS
En stock: 14636

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STB10N95K5
STMicroelectronics - STB10N95K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STB10N95K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 950 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base STB10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STB10N95K5

Attributs du produit STB10N95K5 STB10N60M2 STB100NF04T4 STB10NK60Z-1
Modèle de produit STB10N95K5 STB10N60M2 STB100NF04T4 STB10NK60Z-1
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 7.5A (Tc) 120A (Tc) 10A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STB10 STB10 STB100 STB10N
Tension drain-source (Vdss) 950 V 600 V 40 V 600 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc) 85W (Tc) 300W (Tc) 115W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Séries SuperMESH5™ MDmesh™ II Plus Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II SuperMESH™
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK I2PAK
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V 600mOhm @ 3A, 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V 750mOhm @ 4.5A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 100 V 400 pF @ 100 V 5100 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V

Fiche technique STB10N95K5 PDF

Téléchargez STB10N95K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STB10N95K5 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Feuilles de données
ST(B,F,P,W)10N95K5.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STB10N95K5

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