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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB100N6F7
STB100N6F7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STB100N6F7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STB100N6F7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STB100N6F7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STB100N6F7.pdf
État RoHS
En stock: 37578

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STB100N6F7
STMicroelectronics - STB100N6F7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STB100N6F7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries STripFET™ F7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1980 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base STB100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STB100N6F7

Attributs du produit STB100N6F7 STB10N65K3 STB100NF03L-03-1 STB100NH02LT4
Modèle de produit STB100N6F7 STB10N65K3 STB100NF03L-03-1 STB100NH02LT4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 60 V 650 V 30 V 24 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc) 100W (Tc)
Numéro de produit de base STB100 STB10N6 STB100N STB100N
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±16V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 50A, 10V 1Ohm @ 3.6A, 10V 3.2mOhm @ 50A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 2.5V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1980 pF @ 25 V 1180 pF @ 25 V 6200 pF @ 25 V 2850 pF @ 15 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) I2PAK D2PAK
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 88 nC @ 5 V 64 nC @ 10 V
Séries STripFET™ F7 SuperMESH3™ STripFET™ III STripFET™ III
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 10A (Tc) 100A (Tc) 60A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

Fiche technique STB100N6F7 PDF

Téléchargez STB100N6F7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STB100N6F7 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
STB100N6F7.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STB100N6F7

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