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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SCTW90N65G2V - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
SCTW90N65G2V
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-SCTW90N65G2V
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
SCTW90N65G2V.pdf
État RoHS
En stock: 1416

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SCTW90N65G2V
STMicroelectronics - SCTW90N65G2V Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - SCTW90N65G2V

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) +22V, -10V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur HiP247™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A, 18V  
Dissipation de puissance (max) 390W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 157 nC @ 18 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 18V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)  
Numéro de produit de base SCTW90  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Attributs du produit SCTW90N65G2V SCTWA90N65G2V-4 SCTW35N65G2V SCTWA30N120
Modèle de produit SCTW90N65G2V SCTWA90N65G2V-4 SCTW35N65G2V SCTWA30N120
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 400 V 3380 pF @ 400 V 1370 pF @ 400 V 1700 pF @ 400 V
Numéro de produit de base SCTW90 SCTWA90 SCTW35 SCTWA30
Package composant fournisseur HiP247™ HiP247™ Long Leads HiP247™ HiP247™ Long Leads
Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 157 nC @ 18 V 157 nC @ 18 V 73 nC @ 20 V 105 nC @ 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc) 119A (Tc) 45A (Tc) 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A, 18V 24mOhm @ 50A, 18V 67mOhm @ 20A, 20V 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (Max) +22V, -10V +22V, -10V +22V, -10V +25V, -10V
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 18V - 18V, 20V 20V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Dissipation de puissance (max) 390W (Tc) 565W (Tc) 240W (Tc) 270W (Tc)
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 1mA 5V @ 1mA 3.5V @ 1mA (Typ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 650 V 1200 V
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique SCTW90N65G2V PDF

Téléchargez SCTW90N65G2V PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour SCTW90N65G2V - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Lead Frame Base Material 20/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022.pdf
Feuilles de données
SCTW90N65G2V.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-SCTW90N65G2V

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