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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesL6389EDTR
L6389EDTR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

L6389EDTR - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
L6389EDTR
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-L6389EDTR
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
L6389ED.pdf
État RoHS
En stock: 40330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques L6389EDTR
STMicroelectronics - L6389EDTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - L6389EDTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Alimentation 17V (Max)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 70ns, 40ns  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -45°C ~ 125°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH 1.1V, 1.8V  
Type d'entrée Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 400mA, 650mA  
courant de charge Independent  
Numéro de produit de base L6389  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics L6389EDTR

Attributs du produit L6389EDTR L6392DTR L6391D L6391DTR
Modèle de produit L6389EDTR L6392DTR L6391D L6391DTR
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement -45°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Alimentation 17V (Max) 12.5V ~ 20V 12.5V ~ 20V 12.5V ~ 20V
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
courant de charge Independent Independent Independent Independent
Numéro de produit de base L6389 L6392 L6391 L6391
Type d'entrée Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) 70ns, 40ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Tension logique - VIL, VIH 1.1V, 1.8V 1.1V, 1.9V 1.1V, 1.9V 1.1V, 1.9V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Current - Peak Output (Source, Évier) 400mA, 650mA 290mA, 430mA 290mA, 430mA 290mA, 430mA
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Séries - - - -
Package composant fournisseur 8-SOIC 14-SO 14-SO 14-SO
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge

Fiche technique L6389EDTR PDF

Téléchargez L6389EDTR PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour L6389EDTR - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Material Barrier Bag 17/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 30/Mar/2020.pdf
Fiche technique HTML
L6389ED.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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L6389EDTR

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32D-L6389EDTR

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