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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleBDX33C
BDX33C Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BDX33C - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
BDX33C
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-BDX33C
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN DARL 100V 10A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
BDX3xx.pdf
État RoHS
En stock: 62540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BDX33C
STMicroelectronics - BDX33C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - BDX33C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 3A  
Transistor Type NPN - Darlington  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Puissance - Max 70 W  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition -  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 10 A  
Numéro de produit de base BDX33  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics BDX33C

Attributs du produit BDX33C BDX34C BDX34BTSTU BDX34C
Modèle de produit BDX33C BDX34C BDX34BTSTU BDX34C
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics onsemi onsemi
Numéro de produit de base BDX33 BDX34 BDX34 BDX34
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500µA 500µA 500µA 500µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100 V 100 V 80 V 100 V
Séries - - - -
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220-3 TO-220
Fréquence - Transition - - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 10 A 10 A 10 A 10 A
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 3A 2.5V @ 6mA, 3A 2.5V @ 6mA, 3A 2.5V @ 6mA, 3A
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Puissance - Max 70 W 70 W 70 W 70 W
Transistor Type NPN - Darlington PNP - Darlington PNP PNP - Darlington
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V 750 @ 3A, 3V 750 @ 3A, 3V 750 @ 3A, 3V

Fiche technique BDX33C PDF

Téléchargez BDX33C PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour BDX33C - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
BDX3xx.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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BDX33C

STMicroelectronics
32D-BDX33C

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