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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - Single2SD2012
2SD2012 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SD2012 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
2SD2012
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-2SD2012
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN 60V 3A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
2SD2012.pdf
État RoHS
En stock: 4870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SD2012
STMicroelectronics - 2SD2012 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - 2SD2012

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur TO-220F  
Séries -  
Puissance - Max 25 W  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 3MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100µA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3 A  
Numéro de produit de base 2SD2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics 2SD2012

Attributs du produit 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2008
Modèle de produit 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2008
Fabricant STMicroelectronics Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc. LAPIS Technology
Numéro de produit de base 2SD2 - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack -
Package composant fournisseur TO-220F TO-220F TO-220F -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A 1.5V @ 3mA, 3A 1.5V @ 2mA, 2A -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3 A 4 A 4 A -
Transistor Type NPN NPN - Darlington NPN - Darlington -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60 V 80 V 120 V -
Fréquence - Transition 3MHz 75MHz 40MHz -
Puissance - Max 25 W 25 W 25 W -
Séries - - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V 2000 @ 3A, 2V 2000 @ 2A, 2V -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100µA (ICBO) 10µA (ICBO) 10µA (ICBO) -
Emballer Tube Bulk Bulk -

Fiche technique 2SD2012 PDF

Téléchargez 2SD2012 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour 2SD2012 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 23/Jul/2013.pdf
Feuilles de données
2SD2012.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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2SD2012

STMicroelectronics
32D-2SD2012

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