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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSSFD6035
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSFD6035 - Good-Ark Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SSFD6035
Fabricant
Good-Ark Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-SSFD6035
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET, P-CH, SINGLE, -26A, -60V
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SSFD6035.pdf
État RoHS
En stock: 121940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSFD6035
Good-Ark Semiconductor - SSFD6035 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Good-Ark Semiconductor - SSFD6035

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Good-Ark Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252 (DPAK)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Ta)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3060 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Good-Ark Semiconductor SSFD6035

Attributs du produit SSFD6035 SSFN3903 SSFD3006 SSFC500MA
Modèle de produit SSFD6035 SSFN3903 SSFD3006 SSFC500MA
Fabricant Good-Ark Semiconductor Good-Ark Semiconductor GOOD-ARK SOC Technologies (System-On-Chip Technologies)
Dissipation de puissance (max) 60W (Ta) 2.2W (Ta), 59W (Tc) - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Ta) 50A - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerVDFN - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Package composant fournisseur TO-252 (DPAK) 8-PPAK (3x3) - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 20A, 10V 8.5mOhm @ 10A, 10V - -
type de FET P-Channel P-Channel - -
Séries - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3060 pF @ 30 V 3300 pF @ 15 V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 35 nC @ 4.5 V - -

Fiche technique SSFD6035 PDF

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Feuilles de données
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Italie 5
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Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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