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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleUPA1740TP-E1-AZ
Renesas
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

UPA1740TP-E1-AZ - Renesas

Fabricant Modèle de produit
UPA1740TP-E1-AZ
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-UPA1740TP-E1-AZ
Modèle ECAD
Description des pièces
UPA1740TP-E1-AZ - MOS FIELD EFFE
Description détaillée
Emballage
8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
UPA1740TP-E1-AZ.pdf
En stock: 22320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques UPA1740TP-E1-AZ
Renesas - UPA1740TP-E1-AZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas - UPA1740TP-E1-AZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-HSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta), 22W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas UPA1740TP-E1-AZ

Attributs du produit UPA1740TP-E1-AZ UPA1759G UPA1731G-E1 UPA1754G-E1
Modèle de produit UPA1740TP-E1-AZ UPA1759G UPA1731G-E1 UPA1754G-E1
Fabricant Renesas NEC NEC NEC
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 3.5A, 10V - - -
Température de fonctionnement 150°C - - -
Tension drain-source (Vdss) 200 V - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) - - -
type de FET N-Channel - - -
Package / Boîte 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Package composant fournisseur 8-HSOP - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA - - -
Emballer Bulk - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta), 22W (Tc) - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 10 V - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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