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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRJK03M3DPA-00#J5A
RJK03M3DPA-00#J5A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RJK03M3DPA-00#J5A - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
RJK03M3DPA-00#J5A
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-RJK03M3DPA-00#J5A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Description détaillée
Emballage
8-WFDFN Exposed Pad
Fiche technique
RJK03M3DPA-00#J5A.pdf
État RoHS
En stock: 62690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RJK03M3DPA-00#J5A
Renesas Electronics America Inc - RJK03M3DPA-00#J5A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - RJK03M3DPA-00#J5A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte 8-WFDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3010 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Ta)  
Numéro de produit de base RJK03M3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc RJK03M3DPA-00#J5A

Attributs du produit RJK03M3DPA-00#J5A RJK03K5DPA-00#J5A RJK03K7DPA-00#J5A RJK03M2DPA-00#J5A
Modèle de produit RJK03M3DPA-00#J5A RJK03K5DPA-00#J5A RJK03K7DPA-00#J5A RJK03M2DPA-00#J5A
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - - 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V - - 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.7 nC @ 4.5 V - - 21.2 nC @ 4.5 V
Type de montage Surface Mount - - Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V - - 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
Séries - * * -
Package composant fournisseur 8-WPAK - - 8-WPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Ta) - - 45A (Ta)
Package / Boîte 8-WFDFN Exposed Pad - - 8-WFDFN Exposed Pad
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3010 pF @ 10 V - - 3850 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) - - 40W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel - - N-Channel
Numéro de produit de base RJK03M3 - - RJK03M2
Vgs (Max) ±20V - - ±20V

Fiche technique RJK03M3DPA-00#J5A PDF

Téléchargez RJK03M3DPA-00#J5A PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour RJK03M3DPA-00#J5A - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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