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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNP80N04KHE-E1-AY
NP80N04KHE-E1-AY Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NP80N04KHE-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
NP80N04KHE-E1-AY
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-NP80N04KHE-E1-AY
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 80A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
NP80N04KHE-E1-AY.pdf
État RoHS
En stock: 4470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NP80N04KHE-E1-AY
Renesas Electronics America Inc - NP80N04KHE-E1-AY Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - NP80N04KHE-E1-AY

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta), 120W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc NP80N04KHE-E1-AY

Attributs du produit NP80N04KHE-E1-AY NP80N055KLE-E1-AY NP82N03PUG MOS NP80N055KHE-E1
Modèle de produit NP80N04KHE-E1-AY NP80N055KLE-E1-AY NP82N03PUG MOS NP80N055KHE-E1
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas NEC NEC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 55 V - -
Package composant fournisseur TO-263 TO-263-3 - -
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta), 120W (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) - -
Température de fonctionnement 175°C (TJ) 175°C - -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk - -
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V - -
type de FET N-Channel N-Channel - -

Fiche technique NP80N04KHE-E1-AY PDF

Téléchargez NP80N04KHE-E1-AY PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour NP80N04KHE-E1-AY - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 15/Jun/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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