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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNP35N04YLG-E1-AY
Renesas Electronics America Inc
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NP35N04YLG-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
NP35N04YLG-E1-AY
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-NP35N04YLG-E1-AY
Modèle ECAD
Description des pièces
ABU / MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-PowerLDFN
Fiche technique
NP35N04YLG-E1-AY.pdf
État RoHS
En stock: 35690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NP35N04YLG-E1-AY
Renesas Electronics America Inc - NP35N04YLG-E1-AY Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - NP35N04YLG-E1-AY

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-HSON (5x5.4)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 17.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta), 77W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerLDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc NP35N04YLG-E1-AY

Attributs du produit NP35N04YLG-E1-AY NP35N04YUG-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY NP35N055YUK-E1-AY
Modèle de produit NP35N04YLG-E1-AY NP35N04YUG-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY NP35N055YUK-E1-AY
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Température de fonctionnement 175°C 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 17.5A, 10V 10mOhm @ 17.5A, 10V 17mOhm @ 18A, 10V 6.7mOhm @ 18A, 10V
Package composant fournisseur 8-HSON (5x5.4) 8-HSON TO-263 8-HSON (5x5.4)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 55 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc) 35A (Tc) 36A (Tc) 35A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta), 77W (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) 1.8W (Ta), 56W (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerLDFN 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-PowerLDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V 2850 pF @ 25 V 2800 pF @ 10 V 3360 pF @ 25 V

Fiche technique NP35N04YLG-E1-AY PDF

Téléchargez NP35N04YLG-E1-AY PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour NP35N04YLG-E1-AY - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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