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ISL6613AEIBZ - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
ISL6613AEIBZ
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-ISL6613AEIBZ
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Emballage
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad
Fiche technique
ISL6613AEIBZ.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 5120

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques ISL6613AEIBZ
Renesas Electronics America Inc - ISL6613AEIBZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - ISL6613AEIBZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Tension - Alimentation 10.8V ~ 13.2V  
Package composant fournisseur 8-SOIC-EP  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 26ns, 18ns  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH -  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 36 V  
Type de porte N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 1.25A, 2A  
courant de charge Synchronous  
Numéro de produit de base ISL6613  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc ISL6613AEIBZ

Attributs du produit ISL6613AEIBZ ISL6613BIRZ ISL6613BIRZ ISL6612EIBZ
Modèle de produit ISL6613AEIBZ ISL6613BIRZ ISL6613BIRZ ISL6612EIBZ
Fabricant Renesas Electronics America Inc Intersil Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Séries - - - -
Rise / Fall Time (Typ) 26ns, 18ns 26ns, 18ns 26ns, 18ns 26ns, 18ns
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 36 V 36 V 36 V 36 V
Numéro de produit de base ISL6613 ISL6613 ISL6613 ISL6612
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
courant de charge Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous
Type de porte N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 10.8V ~ 13.2V 7V ~ 13.2V 7V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Package composant fournisseur 8-SOIC-EP 10-DFN (3x3) 10-DFN (3x3) 8-SOIC-EP
Current - Peak Output (Source, Évier) 1.25A, 2A 1.25A, 2A 1.25A, 2A 1.25A, 2A
Tension logique - VIL, VIH - - - -
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad 10-VFDFN Exposed Pad 10-VFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad

Fiche technique ISL6613AEIBZ PDF

Téléchargez ISL6613AEIBZ PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour ISL6613AEIBZ - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
2.73KHz.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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    +00852 9146 4856

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