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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - RFHSG1002VE-TL-E
Renesas Electronics America Inc
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HSG1002VE-TL-E - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
HSG1002VE-TL-E
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HSG1002VE-TL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Description détaillée
Emballage
4-SMD, Gull Wing
Fiche technique
HSG1002VE-TL-E.pdf
En stock: 112330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HSG1002VE-TL-E
Renesas Electronics America Inc - HSG1002VE-TL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - HSG1002VE-TL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 3.5V  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur 4-MFPAK  
Séries -  
Puissance - Max 200mW  
Package / Boîte 4-SMD, Gull Wing  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz  
Type de montage Surface Mount  
Gain 8dB ~ 19.5dB  
Fréquence - Transition 38GHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 2V  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc HSG1002VE-TL-E

Attributs du produit HSG1002VE-TL-E HSG2001VF-01TL-E MRF581 MMBTH10
Modèle de produit HSG1002VE-TL-E HSG2001VF-01TL-E MRF581 MMBTH10
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Microsemi Corporation onsemi
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 2V - 50 @ 50mA, 5V 60 @ 4mA, 10V
Puissance - Max 200mW - 1.25W 225mW
Package composant fournisseur 4-MFPAK - Micro-X ceramic (84C) SOT-23-3
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz - 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35mA - 200mA 50mA
Emballer Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Gain 8dB ~ 19.5dB - 13dB ~ 15.5dB -
Fréquence - Transition 38GHz - 5GHz 650MHz
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 3.5V - 18V 25V
Transistor Type NPN - NPN NPN
Package / Boîte 4-SMD, Gull Wing - Micro-X ceramic (84C) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Séries - * - -
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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