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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesHIP6602BCR
HIP6602BCR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HIP6602BCR - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
HIP6602BCR
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HIP6602BCR
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Description détaillée
Emballage
16-VQFN Exposed Pad
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
En stock: 7090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HIP6602BCR
Renesas Electronics America Inc - HIP6602BCR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - HIP6602BCR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Tension - Alimentation 10.8V ~ 13.2V  
Package composant fournisseur 16-QFN (5x5)  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 20ns, 20ns  
Package / Boîte 16-VQFN Exposed Pad  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement 0°C ~ 125°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 4  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH -  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 15 V  
Type de porte N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) -  
courant de charge Synchronous  
Numéro de produit de base HIP6602  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc HIP6602BCR

Attributs du produit HIP6602BCR HIP6603BCB HIP6602ACB HIP6602BCB-T
Modèle de produit HIP6602BCR HIP6603BCB HIP6602ACB HIP6602BCB-T
Fabricant Renesas Electronics America Inc Intersil Intersil Renesas Electronics America Inc
Température de fonctionnement 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 125°C (TJ)
courant de charge Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous
Rise / Fall Time (Typ) 20ns, 20ns 20ns, 20ns 20ns, 20ns 20ns, 20ns
Tension logique - VIL, VIH - - - -
Type de porte N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Nombre de conducteurs 4 2 4 4
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Full-Bridge Half-Bridge
Emballer Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Current - Peak Output (Source, Évier) - - 730mA, - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension - Alimentation 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 1.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Numéro de produit de base HIP6602 HIP6603 HIP6602 HIP6602
Package composant fournisseur 16-QFN (5x5) 8-SOIC 14-SOIC 14-SOIC
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 15 V 15 V - 15 V
Package / Boîte 16-VQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Séries - - - -

Fiche technique HIP6602BCR PDF

Téléchargez HIP6602BCR PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour HIP6602BCR - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
2.73KHz.pdf
Feuilles de données
Cylindrical Battery Holders.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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HIP6602BCR

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32D-HIP6602BCR

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