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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesHIP6601BCBZ-T
HIP6601BCBZ-T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HIP6601BCBZ-T - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
HIP6601BCBZ-T
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HIP6601BCBZ-T
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
HIP6601B, HIP6603B, HIP6604B.pdf
État RoHS
En stock: 9250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HIP6601BCBZ-T
Renesas Electronics America Inc - HIP6601BCBZ-T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - HIP6601BCBZ-T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Tension - Alimentation 10.8V ~ 13.2V  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 20ns, 20ns  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 0°C ~ 125°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH -  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 15 V  
Type de porte N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) -  
courant de charge Synchronous  
Numéro de produit de base HIP6601  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc HIP6601BCBZ-T

Attributs du produit HIP6601BCBZ-T HIP6601BCBZ-T HIP6601BCBZ HIP6601BECB-T
Modèle de produit HIP6601BCBZ-T HIP6601BCBZ-T HIP6601BCBZ HIP6601BECB-T
Fabricant Renesas Electronics America Inc Intersil Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Numéro de produit de base HIP6601 HIP6601 HIP6601 HIP6601
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension - Alimentation 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V
Type de porte N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 15 V 15 V 15 V 15 V
Tension logique - VIL, VIH - - - -
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC-EP
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Température de fonctionnement 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
courant de charge Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous
Rise / Fall Time (Typ) 20ns, 20ns 20ns, 20ns 20ns, 20ns 20ns, 20ns
Current - Peak Output (Source, Évier) - - - -

Fiche technique HIP6601BCBZ-T PDF

Téléchargez HIP6601BCBZ-T PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour HIP6601BCBZ-T - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 6/Jul/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Alternate Manufacturing Site 05/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
HIP6601B, HIP6603B, HIP6604B.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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