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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHAT2299WP-EL-E
Renesas Electronics America Inc
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HAT2299WP-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
HAT2299WP-EL-E
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HAT2299WP-EL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 14A 8WPAK
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
HAT2299WP-EL-E.pdf
État RoHS
En stock: 3890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HAT2299WP-EL-E
Renesas Electronics America Inc - HAT2299WP-EL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - HAT2299WP-EL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WPAK (3)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta)  
Numéro de produit de base HAT2299  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc HAT2299WP-EL-E

Attributs du produit HAT2299WP-EL-E HAT2287WP-EL-E HAT2279H-EL-E HAT2279N-EL-E
Modèle de produit HAT2299WP-EL-E HAT2287WP-EL-E HAT2279H-EL-E HAT2279N-EL-E
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN SC-100, SOT-669 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 150 V 200 V 80 V 80 V
Numéro de produit de base HAT2299 HAT2287 HAT2279 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta) 17A (Ta) 30A (Ta) 30A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 3520 pF @ 10 V 3520 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 7A, 10V 94mOhm @ 8.5A, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 12.3mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V -
Séries - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 8-WPAK (3) 8-WPAK (3) LFPAK 8-LFPAK-iV
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique HAT2299WP-EL-E PDF

Téléchargez HAT2299WP-EL-E PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour HAT2299WP-EL-E - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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