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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHAT2173H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HAT2173H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
HAT2173H-EL-E
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HAT2173H-EL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Description détaillée
Emballage
SC-100, SOT-669
Fiche technique
HAT2173H-EL-E.pdf
État RoHS
En stock: 5120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HAT2173H-EL-E
Renesas Electronics America Inc - HAT2173H-EL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - HAT2173H-EL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 20mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte SC-100, SOT-669  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta)  
Numéro de produit de base HAT2173  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc HAT2173H-EL-E

Attributs du produit HAT2173H-EL-E HAT2170H-EL-E HAT2171H-EL-E HAT2173N-EL-E
Modèle de produit HAT2173H-EL-E HAT2170H-EL-E HAT2171H-EL-E HAT2173N-EL-E
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Package composant fournisseur LFPAK LFPAK LFPAK 8-LFPAK-iV
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta) 45A (Ta) 40A (Ta) 25A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
Numéro de produit de base HAT2173 HAT2170 HAT2171 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 10 V 4650 pF @ 10 V 3750 pF @ 10 V 4350 pF @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12.5A, 10V 4.2mOhm @ 22.5A, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V 15.3mOhm @ 12.5A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V, 10V 7V, 10V 7V, 10V -
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 40 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 20mA 3V @ 1mA - 6V @ 20mA

Fiche technique HAT2173H-EL-E PDF

Téléchargez HAT2173H-EL-E PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour HAT2173H-EL-E - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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