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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHAT2165N-EL-E
Renesas Electronics America Inc
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HAT2165N-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
HAT2165N-EL-E
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HAT2165N-EL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK
Description détaillée
Emballage
8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
HAT2165N-EL-E.pdf
État RoHS
En stock: 16823

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HAT2165N-EL-E
Renesas Electronics America Inc - HAT2165N-EL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - HAT2165N-EL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-LFPAK-iV  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 27.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5180 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc HAT2165N-EL-E

Attributs du produit HAT2165N-EL-E HAT2165H-EL-E HAT2164H-EL-E HAT2166H-EL-E
Modèle de produit HAT2165N-EL-E HAT2165H-EL-E HAT2164H-EL-E HAT2166H-EL-E
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package composant fournisseur 8-LFPAK-iV LFPAK LFPAK LFPAK
Vgs (th) (Max) @ Id - 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 27.5A, 10V 3.3mOhm @ 27.5A, 10V 3.1mOhm @ 30A, 10V 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 27 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5180 pF @ 10 V 5180 pF @ 10 V 7600 pF @ 10 V 4400 pF @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Ta) 55A (Ta) 60A (Ta) 45A (Ta)
Package / Boîte 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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