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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)Mémoire71V3577S80BQI
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L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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71V3577S80BQI - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
71V3577S80BQI
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-71V3577S80BQI
Modèle ECAD
Description des pièces
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
Emballage
165-TBGA
Fiche technique
IDT Suffixes.pdf
Notre certification
En stock: 2855

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques 71V3577S80BQI
Renesas Electronics America Inc - 71V3577S80BQI Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - 71V3577S80BQI

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Écrire le temps de cycle - Word, Page -  
Tension - Alimentation 3.135V ~ 3.465V  
La technologie SRAM - Synchronous, SDR  
Package composant fournisseur 165-CABGA (13x15)  
Séries -  
Package / Boîte 165-TBGA  
Emballer Tray  
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Type de mémoire Volatile  
Taille mémoire 4.5Mbit  
Organisation de mémoire 128K x 36  
Interface mémoire Parallel  
Format de mémoire SRAM  
Fréquence d'horloge 100 MHz  
Numéro de produit de base 71V3577  
Temps d'accès 8 ns  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc 71V3577S80BQI

Attributs du produit 71V3577S80BQI 71V3577S80BQI 71V3577S75BG 71V3577YS85PF
Modèle de produit 71V3577S80BQI 71V3577S80BQI 71V3577S75BG 71V3577YS85PF
Fabricant Renesas Electronics America Inc IDT, Integrated Device Technology Inc IDT, Integrated Device Technology Inc IDT, Integrated Device Technology Inc
Numéro de produit de base 71V3577 71V3577 71V3577 71V3577
Type de mémoire Volatile Volatile Volatile Volatile
Séries - - - -
Fréquence d'horloge 100 MHz 100 MHz 117 MHz -
Package composant fournisseur 165-CABGA (13x15) 165-CABGA (13x15) 119-PBGA (14x22) 100-TQFP (14x20)
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Taille mémoire 4.5Mbit 4.5Mbit 4.5Mbit 4.5Mbit
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension - Alimentation 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V
Format de mémoire SRAM SRAM SRAM SRAM
Écrire le temps de cycle - Word, Page - - - -
Emballer Tray Bulk Bulk Bulk
La technologie SRAM - Synchronous, SDR SRAM - Synchronous, SDR SRAM - Synchronous, SDR SRAM - Synchronous, SDR
Temps d'accès 8 ns 8 ns 7.5 ns 8.5 ns
Organisation de mémoire 128K x 36 128K x 36 128K x 36 128K x 36
Package / Boîte 165-TBGA 165-TBGA 119-BGA 100-LQFP
Interface mémoire Parallel Parallel Parallel Parallel

Fiche technique 71V3577S80BQI PDF

Téléchargez 71V3577S80BQI PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour 71V3577S80BQI - Renesas Electronics America Inc.

Conception / spécification PCN
All Dev Label Chg 1/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
IDT Suffixes.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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