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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)Mémoire6116LA35TDB
Renesas Electronics America Inc
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

6116LA35TDB - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
6116LA35TDB
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-6116LA35TDB
Modèle ECAD
Description des pièces
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP
Description détaillée
Emballage
24-CDIP (0.300", 7.62mm)
Fiche technique
IDT6116SA(LA).pdf
En stock: 5940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 6116LA35TDB
Renesas Electronics America Inc - 6116LA35TDB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - 6116LA35TDB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Écrire le temps de cycle - Word, Page 35ns  
Tension - Alimentation 4.5V ~ 5.5V  
La technologie SRAM - Asynchronous  
Package composant fournisseur 24-CDIP  
Séries -  
Package / Boîte 24-CDIP (0.300", 7.62mm)  
Emballer Tray  
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Type de mémoire Volatile  
Taille mémoire 16Kbit  
Organisation de mémoire 2K x 8  
Interface mémoire Parallel  
Format de mémoire SRAM  
Numéro de produit de base 6116LA  
Temps d'accès 35 ns  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc 6116LA35TDB

Attributs du produit 6116LA35TDB 6116SA20SOG8 6116SA35TP 6118HIBZ
Modèle de produit 6116LA35TDB 6116SA20SOG8 6116SA35TP 6118HIBZ
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc IDT, Integrated Device Technology Inc Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Type de mémoire Volatile Volatile Volatile -
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) -
Temps d'accès 35 ns 20 ns 35 ns -
Séries - - - -
Taille mémoire 16Kbit 16Kbit 16Kbit -
La technologie SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous -
Package composant fournisseur 24-CDIP 24-SOIC 24-PDIP -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 35ns 20ns 35ns -
Organisation de mémoire 2K x 8 2K x 8 2K x 8 -
Package / Boîte 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 24-DIP (0.300", 7.62mm) -
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole -
Emballer Tray Tape & Reel (TR) Bulk -
Tension - Alimentation 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V -
Format de mémoire SRAM SRAM SRAM -
Interface mémoire Parallel Parallel Parallel -
Numéro de produit de base 6116LA 6116SA 6116SA -

Fiche technique 6116LA35TDB PDF

Téléchargez 6116LA35TDB PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour 6116LA35TDB - Renesas Electronics America Inc.

Conception / spécification PCN
All Dev Label Chg 1/Dec/2022.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Obs Notice 10/Aug/2022.pdf PCN Repl/Subs 06-Sep-22.pdf
PCN Autre
PCN Rev 10-7-22.pdf
Fiche technique HTML
IDT6116SA(LA).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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