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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2SK1859-E
2SK1859-E Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SK1859-E - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
2SK1859-E
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-2SK1859-E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
2SK1859-E.pdf
État RoHS
En stock: 5050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SK1859-E
Renesas Electronics America Inc - 2SK1859-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - 2SK1859-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)  
Numéro de produit de base 2SK1859  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc 2SK1859-E

Attributs du produit 2SK1859-E 2SK18600R2MC 2SK18600T2MC+ 2SK1847-TB
Modèle de produit 2SK1859-E 2SK18600R2MC 2SK18600T2MC+ 2SK1847-TB
Fabricant Renesas Electronics America Inc Panasonic Panasonic AMI Semiconductor/onsemi
type de FET N-Channel - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack - - -
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 900 V - - -
Emballer Tube - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 3A, 10V - - -
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-3P - - -
Numéro de produit de base 2SK1859 - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta) - - -
Type de montage Through Hole - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 10 V - - -

Fiche technique 2SK1859-E PDF

Téléchargez 2SK1859-E PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour 2SK1859-E - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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