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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2SJ687-ZK-E1-AY
2SJ687-ZK-E1-AY Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SJ687-ZK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
2SJ687-ZK-E1-AY
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-2SJ687-ZK-E1-AY
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 20A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
2SJ687-ZK-E1-AY.pdf
État RoHS
En stock: 70630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SJ687-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America Inc - 2SJ687-ZK-E1-AY Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - 2SJ687-ZK-E1-AY

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252 (MP-3ZK)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta), 36W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc 2SJ687-ZK-E1-AY

Attributs du produit 2SJ687-ZK-E1-AY 2SJ673-AZ 2SJ670-TD-E 2SJ680
Modèle de produit 2SJ687-ZK-E1-AY 2SJ673-AZ 2SJ670-TD-E 2SJ680
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Sanyo TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 36A (Tc) - -
Séries - - * -
type de FET P-Channel P-Channel - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 10 V 4600 pF @ 10 V - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4V, 10V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 4.5V 20mOhm @ 18A, 10V - -
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 60 V - -
Type de montage Surface Mount Through Hole - -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta), 36W (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Isolated Tab - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Vgs (Max) ±12V ±20V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 4.5 V 87 nC @ 10 V - -
Package composant fournisseur TO-252 (MP-3ZK) TO-220 Isolated Tab - -

Fiche technique 2SJ687-ZK-E1-AY PDF

Téléchargez 2SJ687-ZK-E1-AY PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour 2SJ687-ZK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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