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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFP70N03
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFP70N03 - Harris Corporation

Fabricant Modèle de produit
RFP70N03
Fabricant
Harris Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-RFP70N03
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
RFP70N03.pdf
En stock: 24054

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFP70N03
Harris Corporation - RFP70N03 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Harris Corporation - RFP70N03

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Harris Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 70A, 10V  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Harris Corporation RFP70N03

Attributs du produit RFP70N03 RFP50N06 RFP70N06 RFP6P10
Modèle de produit RFP70N03 RFP50N06 RFP70N06 RFP6P10
Fabricant Harris Corporation onsemi onsemi Harris Corporation
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 20 V 150 nC @ 20 V 156 nC @ 20 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 70A, 10V 22mOhm @ 50A, 10V 14mOhm @ 70A, 10V 600mOhm @ 6A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V 60 V 100 V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 2020 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 50A (Tc) 70A (Tc) 6A (Tc)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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32D-RFP70N03

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