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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePJL9430A_R2_00001
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PJL9430A_R2_00001 - Panjit International Inc.

Fabricant Modèle de produit
PJL9430A_R2_00001
Fabricant
PANJIT
Allelco Modèle de produit
32D-PJL9430A_R2_00001
Modèle ECAD
Description des pièces
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
PJL9430A.pdf
État RoHS
En stock: 320700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PJL9430A_R2_00001
Panjit International Inc. - PJL9430A_R2_00001 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Panjit International Inc. - PJL9430A_R2_00001

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant PANJIT  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 815 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.8A (Ta)  
Numéro de produit de base PJL9430  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Panjit International Inc. PJL9430A_R2_00001

Attributs du produit PJL9430A_R2_00001 IXTH1N450HV STW56N65M2 IRFR3711TRPBF
Modèle de produit PJL9430A_R2_00001 IXTH1N450HV STW56N65M2 IRFR3711TRPBF
Fabricant Panjit International Inc. IXYS STMicroelectronics Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 6V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 520W (Tc) 358W (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 44 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 815 pF @ 15 V 1700 pF @ 25 V 3900 pF @ 100 V 2980 pF @ 10 V
Numéro de produit de base PJL9430 IXTH1 STW56 -
Package composant fournisseur 8-SOP TO-247HV TO-247-3 D-Pak
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Séries - - MDmesh™ M2 HEXFET®
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.8A (Ta) 1A (Tc) 49A (Tc) 100A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 4500 V 650 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.8A, 10V 80Ohm @ 50mA, 10V 62mOhm @ 24.5A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V

Fiche technique PJL9430A_R2_00001 PDF

Téléchargez PJL9430A_R2_00001 PDF DataSheets et Documentation Panjit International Inc. pour PJL9430A_R2_00001 - Panjit International Inc..

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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