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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableaux2N7002KDW_R1_00001
2N7002KDW_R1_00001 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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2N7002KDW_R1_00001 - Panjit International Inc.

Fabricant Modèle de produit
2N7002KDW_R1_00001
Fabricant
PANJIT
Allelco Modèle de produit
32D-2N7002KDW_R1_00001
Modèle ECAD
Description des pièces
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
2N7002KDW.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 830600

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques 2N7002KDW_R1_00001
Panjit International Inc. - 2N7002KDW_R1_00001 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Panjit International Inc. - 2N7002KDW_R1_00001

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant PANJIT  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-363  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V  
Puissance - Max 200mW (Ta)  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 35pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base 2N7002  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Panjit International Inc. 2N7002KDW_R1_00001

Attributs du produit 2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW 2N7002KLT1G 2N7002KHE3-TP
Modèle de produit 2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW 2N7002KLT1G 2N7002KHE3-TP
Fabricant Panjit International Inc. Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd AMI Semiconductor/onsemi Micro Commercial Co
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA - 2.5V @ 1mA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 200mW (Ta) 350mW (Ta) - -
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Numéro de produit de base 2N7002 2N7002 - 2N7002
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V 2.4nC @ 10V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA (Ta) 340mA (Ta) - 340mA
Package composant fournisseur SOT-363 SOT-363 - SOT-23
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V 2.5Ohm @ 300mA, 10V - 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 35pF @ 25V 30pF @ 30V - 40 pF @ 10 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V - 60 V

Fiche technique 2N7002KDW_R1_00001 PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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