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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePSMN9R8-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PSMN9R8-30MLC,115 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PSMN9R8-30MLC,115
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PSMN9R8-30MLC,115
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Description détaillée
Emballage
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Fiche technique
PSMN9R8-30MLC.pdf
État RoHS
En stock: 143170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PSMN9R8-30MLC,115
Nexperia USA Inc. - PSMN9R8-30MLC,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PSMN9R8-30MLC,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK33  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.9 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base PSMN9R8  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PSMN9R8-30MLC,115

Attributs du produit PSMN9R8-30MLC,115 PSMNR58-30YLHX PSMN9R5-100PS,127 PSMNR51-25YLHX
Modèle de produit PSMN9R8-30MLC,115 PSMNR58-30YLHX PSMN9R5-100PS,127 PSMNR51-25YLHX
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Package composant fournisseur LFPAK33 LFPAK56, Power-SO8 TO-220AB LFPAK56; Power-SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 15A, 10V 0.67mOhm @ 25A, 10V 9.6mOhm @ 15A, 10V 0.57mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 333W (Ta) 211W (Tc) 333W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 15 V 6160 pF @ 15 V 4454 pF @ 50 V 6990 pF @ 12 V
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 380A (Ta) 89A (Tc) 380A (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA 2.2V @ 2mA 4V @ 1mA 2.2V @ 2mA
Numéro de produit de base PSMN9R8 PSMNR58 PSMN9R5 PSMNR51
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 100 V 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.9 nC @ 10 V 188 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1023, 4-LFPAK TO-220-3 SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique PSMN9R8-30MLC,115 PDF

Téléchargez PSMN9R8-30MLC,115 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PSMN9R8-30MLC,115 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Mult Devices Label 30/Sep/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf
Feuilles de données
PSMN9R8-30MLC.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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