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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePSMN6R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PSMN6R0-30YLDX - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PSMN6R0-30YLDX
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PSMN6R0-30YLDX
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Description détaillée
Emballage
SC-100, SOT-669
Fiche technique
PSMN6R0-30YLD.pdf
État RoHS
En stock: 104030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PSMN6R0-30YLDX
Nexperia USA Inc. - PSMN6R0-30YLDX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PSMN6R0-30YLDX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc)  
Package / Boîte SC-100, SOT-669  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 832 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 66A (Tc)  
Numéro de produit de base PSMN6R0  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PSMN6R0-30YLDX

Attributs du produit PSMN6R0-30YLDX PSMN6R9-100YSFX PSMN6R3-120PS PSMN6R3-120PS
Modèle de produit PSMN6R0-30YLDX PSMN6R9-100YSFX PSMN6R3-120PS PSMN6R3-120PS
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 832 pF @ 15 V - 11384 pF @ 60 V 11384 pF @ 60 V
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc) 238W 405W (Tc) 405W (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 66A (Tc) 100A (Tc) 70A (Tc) 70A (Ta)
Numéro de produit de base PSMN6R0 PSMN6R9 PSMN6R3 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 10 V 50.3 nC @ 10 V 207.1 nC @ 10 V 207.1 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 TO-220AB TO-220AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V - 6.7mOhm @ 25A, 10V 6.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA - 4V @ 1mA 4V @ 1mA
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 120 V 120 V
Package / Boîte SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique PSMN6R0-30YLDX PDF

Téléchargez PSMN6R0-30YLDX PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PSMN6R0-30YLDX - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf
Feuilles de données
PSMN6R0-30YLD.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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