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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePSMN5R5-60YS,115
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PSMN5R5-60YS,115 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PSMN5R5-60YS,115
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PSMN5R5-60YS,115
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Description détaillée
Emballage
SC-100, SOT-669
Fiche technique
PSMN5R5-60YS.pdf
État RoHS
En stock: 33607

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PSMN5R5-60YS,115
Nexperia USA Inc. - PSMN5R5-60YS,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PSMN5R5-60YS,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc)  
Package / Boîte SC-100, SOT-669  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3501 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base PSMN5R5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PSMN5R5-60YS,115

Attributs du produit PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R0-80PS,127 PSMN5R6-60YLX PSMN5R0-30YL,115
Modèle de produit PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R0-80PS,127 PSMN5R6-60YLX PSMN5R0-30YL,115
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Tension drain-source (Vdss) 60 V 80 V 60 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3501 pF @ 30 V 6793 pF @ 12 V 5026 pF @ 25 V 1760 pF @ 12 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 15A, 10V 4.7mOhm @ 15A, 10V 5.6mOhm @ 25A, 10V 5mOhm @ 15A, 10V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8 TO-220AB LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8
Package / Boîte SC-100, SOT-669 TO-220-3 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc) 270W (Tc) 167W (Tc) 61W (Tc)
Numéro de produit de base PSMN5R5 PSMN5R0 PSMN5R6 PSMN5R0
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 101 nC @ 10 V 66.8 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 91A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.15V @ 1mA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Séries - - - -

Fiche technique PSMN5R5-60YS,115 PDF

Téléchargez PSMN5R5-60YS,115 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PSMN5R5-60YS,115 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf
Conception / spécification PCN
Solder Material Update 14/Sep/2015.pdf
Feuilles de données
PSMN5R5-60YS.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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