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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePSMN4R8-100BSEJ
PSMN4R8-100BSEJ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PSMN4R8-100BSEJ - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PSMN4R8-100BSEJ
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PSMN4R8-100BSEJ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
PSMN4R8-100BSE.pdf
État RoHS
En stock: 13164

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia USA Inc. - PSMN4R8-100BSEJ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PSMN4R8-100BSEJ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 405W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14400 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 278 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tj)  
Numéro de produit de base PSMN4R8  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSEJ

Attributs du produit PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100PSEQ PSMN5R0-30YL,115 PSMN4R4-80PS,127
Modèle de produit PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100PSEQ PSMN5R0-30YL,115 PSMN4R4-80PS,127
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Numéro de produit de base PSMN4R8 PSMN4R8 PSMN5R0 PSMN4R4
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14400 pF @ 50 V 14400 pF @ 50 V 1760 pF @ 12 V 8400 pF @ 40 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 SC-100, SOT-669 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 278 nC @ 10 V 278 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 2.15V @ 1mA 4V @ 1mA
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB LFPAK56, Power-SO8 TO-220AB
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 30 V 80 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tj) 120A (Tj) 91A (Tc) 100A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 405W (Tc) 405W (Tc) 61W (Tc) 306W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 25A, 10V 5mOhm @ 25A, 10V 5mOhm @ 15A, 10V 4.1mOhm @ 15A, 10V

Fiche technique PSMN4R8-100BSEJ PDF

Téléchargez PSMN4R8-100BSEJ PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PSMN4R8-100BSEJ - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
PSMN4R8-100BSE.pdf
Assemblage / origine PCN
Alternative Leadframe Supplier 17/Jun/2014.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PSMN4R8-100BSEJ

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