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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePSMN1R4-40YLDX
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PSMN1R4-40YLDX - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PSMN1R4-40YLDX
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PSMN1R4-40YLDX
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Description détaillée
Emballage
SC-100, SOT-669
Fiche technique
PSMN1R4-40YLD.pdf
État RoHS
En stock: 28333

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PSMN1R4-40YLDX
Nexperia USA Inc. - PSMN1R4-40YLDX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PSMN1R4-40YLDX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 238W (Tc)  
Package / Boîte SC-100, SOT-669  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6661 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base PSMN1R4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PSMN1R4-40YLDX

Attributs du produit PSMN1R4-40YLDX PSMN1R2-30YLDX PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R4-30YLDX
Modèle de produit PSMN1R4-40YLDX PSMN1R2-30YLDX PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R4-30YLDX
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA 2.2V @ 1mA 2.15V @ 1mA 2.2V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 25A, 10V 1.24mOhm @ 25A, 10V 1.5mOhm @ 25A, 10V 1.42mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max) 238W (Tc) 194W (Tc) 401W (Tc) 166W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 120A (Tc) 100A (Tc)
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 D2PAK LFPAK56, Power-SO8
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 228 nC @ 10 V 54.8 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6661 pF @ 20 V 4616 pF @ 15 V 14934 pF @ 15 V 3840 pF @ 15 V
Package / Boîte SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SC-100, SOT-669
Tension drain-source (Vdss) 40 V 30 V 30 V 30 V
Numéro de produit de base PSMN1R4 PSMN1R2 PSMN1R5 PSMN1R4
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

Fiche technique PSMN1R4-40YLDX PDF

Téléchargez PSMN1R4-40YLDX PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PSMN1R4-40YLDX - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
PSMNxRx 26/Sep/2022.pdf
Conception / spécification PCN
New Clip Design 16/Mar/2016.pdf
Feuilles de données
PSMN1R4-40YLD.pdf

Mode de transport

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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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