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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePSMN020-30MLCX
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PSMN020-30MLCX - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PSMN020-30MLCX
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PSMN020-30MLCX
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
Description détaillée
Emballage
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Fiche technique
PSMN020-30MLC.pdf
État RoHS
En stock: 169610

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PSMN020-30MLCX
Nexperia USA Inc. - PSMN020-30MLCX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PSMN020-30MLCX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK33  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.1mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc)  
Package / Boîte SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31.8A (Tc)  
Numéro de produit de base PSMN020  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PSMN020-30MLCX

Attributs du produit PSMN020-30MLCX PSMN020-30MLCX PSMN025-100D,118 PSMN018-100PSFQ
Modèle de produit PSMN020-30MLCX PSMN020-30MLCX PSMN025-100D,118 PSMN018-100PSFQ
Fabricant Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 7V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur LFPAK33 LFPAK33 DPAK TO-220AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 100 V 100 V
Package / Boîte SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 15 V 430 pF @ 15 V 2600 pF @ 25 V 1482 pF @ 50 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31.8A (Tc) 31.8A (Tc) 47A (Tc) 53A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 21.4 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc) 33W (Tc) 150W (Tc) 111W (Ta)
Numéro de produit de base PSMN020 - - -
Séries - - TrenchMOS™ -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA 1.95V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.1mOhm @ 5A, 10V 18.1mOhm @ 5A, 10V 25mOhm @ 25A, 10V 18mOhm @ 15A, 10V

Fiche technique PSMN020-30MLCX PDF

Téléchargez PSMN020-30MLCX PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PSMN020-30MLCX - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Mult Devices Label 30/Sep/2018.pdf
Feuilles de données
PSMN020-30MLC.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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