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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMV55ENEAR
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMV55ENEAR - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMV55ENEAR
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMV55ENEAR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
PMV55ENEA.pdf
État RoHS
En stock: 112630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMV55ENEAR
Nexperia USA Inc. - PMV55ENEAR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMV55ENEAR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 478mW (Ta), 8.36W (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 646 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Ta)  
Numéro de produit de base PMV55  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMV55ENEAR

Attributs du produit PMV55ENEAR PMV50EPEAR PMV56XN,215 PMV60ENEAR
Modèle de produit PMV55ENEAR PMV50EPEAR PMV56XN,215 PMV60ENEAR
Fabricant Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V 45mOhm @ 4.2A, 10V 85mOhm @ 3.6A, 4.5V 75mOhm @ 3A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 20 V 40 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Séries Automotive, AEC-Q101 - TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Ta) 4.2A (Ta) 3.76A (Tc) 3A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base PMV55 PMV50 PMV5 PMV60
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA 650mV @ 1mA (Min) 2.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 478mW (Ta), 8.36W (Tc) 310mW (Ta), 455mW (Tc) 1.92W (Tc) 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Package composant fournisseur TO-236AB SOT-23 SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 19.2 nC @ 10 V 5.4 nC @ 4.5 V 5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 646 pF @ 30 V 793 pF @ 15 V 230 pF @ 10 V 180 pF @ 20 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -

Fiche technique PMV55ENEAR PDF

Téléchargez PMV55ENEAR PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMV55ENEAR - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
PMV55ENEA.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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