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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMV450ENEAR
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMV450ENEAR - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMV450ENEAR
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMV450ENEAR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
PMV450ENEA.pdf
État RoHS
En stock: 487300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMV450ENEAR
Nexperia USA Inc. - PMV450ENEAR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMV450ENEAR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 900mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 323mW (Ta), 554mW (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 101 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 800mA (Ta)  
Numéro de produit de base PMV450  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMV450ENEAR

Attributs du produit PMV450ENEAR PMV45EN,215 PMV40UN,215 PMV45EN2R
Modèle de produit PMV450ENEAR PMV45EN,215 PMV40UN,215 PMV45EN2R
Fabricant Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base PMV450 PMV4 PMV4 PMV45EN2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 800mA (Ta) 5.4A (Tc) 4.9A (Tc) 4.1A (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 900mA, 10V 42mOhm @ 2A, 10V 47mOhm @ 2A, 4.5V 42mOhm @ 4.1A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 30 V 30 V
Package composant fournisseur TO-236AB SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.6 nC @ 10 V 9.4 nC @ 10 V 9.3 nC @ 4.5 V 6.3 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dissipation de puissance (max) 323mW (Ta), 554mW (Tc) 280mW (Tj) 1.9W (Tc) 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 101 pF @ 30 V 350 pF @ 30 V 445 pF @ 30 V 209 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA 2V @ 1mA 700mV @ 1mA (Typ) 2V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries Automotive, AEC-Q101 TrenchMOS™ TrenchMOS™ -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V

Fiche technique PMV450ENEAR PDF

Téléchargez PMV450ENEAR PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMV450ENEAR - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
PMV450ENEA.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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