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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMV33UPE,215
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMV33UPE,215 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMV33UPE,215
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMV33UPE,215
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
PMV33UPE215 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 212830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMV33UPE,215
Nexperia USA Inc. - PMV33UPE,215 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMV33UPE,215

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 490mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.1 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Ta)  
Numéro de produit de base PMV33  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMV33UPE,215

Attributs du produit PMV33UPE,215 PMV33UPE,215 PMV37EN2R PMV37EN,215
Modèle de produit PMV33UPE,215 PMV33UPE,215 PMV37EN2R PMV37EN,215
Fabricant Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Ta) 4.4A (Ta) 4.5A (Ta) 3.1A (Ta)
Package composant fournisseur TO-236AB SOT-23 TO-236AB SOT-23 (TO-236AB)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.1 nC @ 4.5 V 22.1 nC @ 4.5 V 6.3 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 3A, 4.5V 36mOhm @ 3A, 4.5V 36mOhm @ 4.5A, 10V 36mOhm @ 3.1A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 10 V 1820 pF @ 10 V 209 pF @ 15 V 330 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 490mW (Ta) 490mW (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) 380mW (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base PMV33 - PMV37 PMV3
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique PMV33UPE,215 PDF

Téléchargez PMV33UPE,215 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMV33UPE,215 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Pack/Label Update 30/Nov/2016.pdf
Feuilles de données
PMV33UPE215 Datasheet.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Bond Wire 18/Apr/2014.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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